[发明专利]高温RF加热器底座

权利要求书

1.一种半导体处理系统，包括：

基板支撑组件，所述基板支撑组件具有基板支撑表面，所述基板支撑组件包括：

陶瓷加热器，所述陶瓷加热器限定所述基板支撑表面；

接地板，所述陶瓷加热器安置在所述接地板上；

杆，所述接地板耦接至所述杆；

电极，所述电极嵌入在所述陶瓷加热器内距离所述基板支撑表面的一定深度处；以及

RF匹配器，所述RF匹配器被配置成通过所述杆向所述电极提供AC电流与RF功率，其中所述RF匹配器沿着所述杆与所述基板支撑组件耦接，并且其中所述基板支撑组件与RF匹配器在所述半导体处理系统内可垂直平移。

2.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述电极嵌入在所述陶瓷加热器中距离所述基板支撑表面的所述深度为少于或约5mm。

3.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述基板支撑组件被配置成将基板加热至大于或约200℃的温度。

4.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述基板支撑表面涂覆有抗等离子体材料，所述抗等离子体材料包括氧化钇。

5.如权利要求1所述的半导体处理系统，进一步包括RF棒，所述RF棒在所述RF匹配器与所述基板支撑组件之间延伸。

6.如权利要求5所述的半导体处理系统，进一步包括第二RF棒，所述第二RF棒定位在设置在所述杆内的陶瓷轴内，并与所述陶瓷加热器扩散接合。

7.如权利要求5所述的半导体处理系统，其中所述基板支撑组件在所述RF棒与所述电极之间包括少于十个耦合件。

8.如权利要求5所述的半导体处理系统，其中所述RF匹配器包括RF带，所述RF带将RF功率源与所述RF棒耦接。

9.如权利要求5所述的半导体处理系统，其中所述RF匹配器包括RF滤波器，所述RF滤波器将AC功率源与所述RF棒耦接。

10.如权利要求9所述的半导体处理系统，其中所述RF滤波器包括电感器和电容器，其中所述电感器包括铁氧体磁芯，并且其中所述电感器提供至少2μH。

11.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述RF匹配器被配置成提供脉冲RF功率，并且其中所述电极被配置成在所述半导体处理系统内在所述基板支撑组件上方的体积中产生RF偏压等离子体。

12.一种基板支撑组件，所述基板支撑组件具有基板支撑表面，所述基板支撑组件包括：

陶瓷加热器，所述陶瓷加热器限定所述基板支撑表面；

接地板，所述陶瓷加热器安置在所述接地板上；

杆，所述接地板耦接至所述杆；

电极，所述电极嵌入在所述陶瓷加热器内距离所述基板支撑表面的一定深度处，其中所述电极被配置成在所述基板支撑组件上方的体积中产生RF偏压等离子体；以及

RF匹配器，所述RF匹配器被配置成通过所述杆向所述电极提供AC电流与RF功率。

13.如权利要求12所述的基板支撑组件，其中所述RF匹配器被配置成向所述电极提供低于或约100W的等离子体功率，并且其中所述RF匹配器包括RF带，所述RF带将RF功率源与RF棒耦接，所述RF棒在所述RF匹配器与所述基板支撑组件之间延伸。

14.如权利要求13所述的基板支撑组件，其中所述RF匹配器包括RF滤波器，所述RF滤波器将AC功率源与所述RF棒耦接，并且其中所述RF滤波器包括电感器和电容器。

15.一种半导体处理系统，包括：

基板支撑组件，所述基板支撑组件具有基板支撑表面，所述基板支撑组件包括：

陶瓷加热器，所述陶瓷加热器限定所述基板支撑表面；

接地板，所述陶瓷加热器安置在所述接地板上；

杆，所述接地板耦接至所述杆；

电极，所述电极嵌入在所述陶瓷加热器内距离所述基板支撑表面的一定深度处，其中所述电极被配置成在所述基板支撑组件上方的体积中产生RF偏压等离子体；以及

RF匹配器，所述RF匹配器被配置成通过所述杆向所述电极提供AC电流与RF功率，其中所述RF匹配器沿着所述杆与所述基板支撑组件耦接，其中所述RF匹配器被配置成向所述电极提供低于或约50W的等离子体功率，其中所述RF匹配器与所述电极之间的电耦合件由在操作中的损耗为小于或约1W来表征，并且其中所述基板支撑组件与RF匹配器在所述半导体处理系统内可垂直平移。