[发明专利]半导体制造方法以及半导体制造装置在审
| 申请号： | 201980057390.7 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112889137A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 有马博纪;芦泽公一 | 申请（专利权）人： | 株式会社UACJ |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/268;H01L21/363;H01L21/479;H01L29/24;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 刘金峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种利用半导体制造装置(100)的半导体制造方法，包含：配置步骤，在包含氧化铝的基材(1)的一端配置发生氧化反应的阳极(2)，且在基材(1)的另一端配置发生还原反应的阴极(3)；加热步骤，在使阳极(2)与基材(1)的一端接触，且使阴极(3)与基材(1)的另一端接触的状态下，将基材(1)进行加热而使其熔融；熔融盐电解步骤，在基材(1)的至少一部分熔融的整个期间或者一部分期间，在阳极(2)与阴极(3)之间流通电流来进行熔融盐电解；以及半导体形成步骤，在熔融盐电解步骤之后将基材(1)冷却，形成p型氧化铝半导体层及n型氧化铝半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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