[发明专利]半导体制造方法以及半导体制造装置

权利要求书

1.一种半导体制造方法，其特征在于，包含：

配置步骤，在包含氧化铝的基材的一端配置发生氧化反应的阳极，且在所述基材的另一端配置发生还原反应的阴极；

加热步骤，在使所述阳极与所述基材的一端接触，且使所述阴极与所述基材的另一端接触的状态下，将所述基材进行加热而使其熔融；

熔融盐电解步骤，在所述基材的至少一部分熔融的整个期间或者一部分期间，在所述阳极与所述阴极之间流通电流来进行熔融盐电解；以及

半导体形成步骤，在所述熔融盐电解步骤之后将所述基材冷却，形成p型氧化铝半导体层及/或n型氧化铝半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，

在所述加热步骤中的所述基材的加热时，使用激光光，并且

所述激光光包含：钇铝石榴石激光、盘形激光、光纤激光、准分子激光、二氧化碳激光、半导体激光中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其特征在于，

所述阳极包含铝或铝合金，并且

所述阴极包含铂、或者至少表面的一部分由铂所被覆的金属。

4.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其特征在于，

所述阳极包含铂、或者至少表面的一部分由铂所被覆的金属，并且

所述阴极包含铝或铝合金。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体制造方法，其特征在于，

所述基材包含粉末状或板状的材质。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体制造方法，其特征在于，包含：

分离步骤，仅将在所述半导体形成步骤中形成的p型氧化铝半导体层及/或n型氧化铝半导体层分离；以及

调整步骤，通过将在所述分离步骤中分离的所述p型氧化铝半导体层及/或所述n型氧化铝半导体层与通常的氧化铝同时溅射成膜，从而形成已调整载流子浓度的氧化铝半导体层。

7.一种半导体制造装置，在根据权利要求1至6所述的半导体制造方法中使用，其特征在于，具备：

夹具，用于使发生氧化反应的阳极与所述基材的一端接触，且使发生还原反应的阴极与所述基材的另一端接触；

直流电源，用于对所述阳极与所述阴极之间施加电压；以及

光源，对所述基材照射激光光。