[发明专利]氮化物半导体基板、氮化物半导体基板的制造方法和层叠结构体有效
| 申请号： | 201980056200.X | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN112639178B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 吉田丈洋 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体基板，其具有2英寸以上的直径，且具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，隔着Ge(220)面的双晶单色器和狭缝对主面照射Cu的Kα1的X射线，进行(0002)面衍射的X射线摇摆曲线测定时，将狭缝的ω方向的宽度设为0.1mm时的(0002)面衍射的半值宽度FWHMb为32arcsec以下，从将狭缝的ω方向的宽度设为1mm时的(0002)面衍射的半值宽度FWHMa减去FWHMb而得到的差值FWHMa‑FWHMb为FWHMa的30％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 层叠 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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