[发明专利]氮化物半导体基板、氮化物半导体基板的制造方法和层叠结构体

权利要求书

1.一种氮化物半导体基板，其具有2英寸以上的直径，且具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，

隔着Ge(220)面的双晶单色器和狭缝对所述主面照射Cu的Kα1的X射线，进行(0002)面衍射的X射线摇摆曲线测定时，

将所述狭缝的ω方向的宽度设为0.1mm时的所述(0002)面衍射的半值宽度FWHMb为32arcsec以下，

从将所述狭缝的ω方向的宽度设为1mm时的所述(0002)面衍射的半值宽度FWHMa减去FWHMb而得的差值FWHMa-FWHMb为FWHMa的30％以下。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体基板，其中，在所述主面内之中的1-100轴方向和11-20轴方向的分别以规定间隔设定的多个测定点处，FWHMa-FWHMb为FWHMa的30％以下。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体基板，其中，将所述狭缝的ω方向的宽度设为0.1mm时的所述(0002)面衍射的半值宽度FWHMb从所述主面的中心起至直径29.6mm内为32arcsec以下。

4.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体基板，其中，利用多光子激发显微镜以250μm见方的视野观察所述主面，由暗点密度求出位错密度时，遍及所述主面的95％以上，所述位错密度小于1×10⁶cm^-2。

5.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体基板，其中，所述主面以100个/cm²以上的密度具有不重叠的50μm见方的无位错区域。

6.一种氮化物半导体基板，其具有2英寸以上的直径，且具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，

利用多光子激发显微镜以250μm见方的视野观察所述氮化物半导体基板的主面，由暗点密度求出位错密度时，遍及所述主面的95％以上，所述位错密度小于1×10⁶cm^-2，

所述主面以100个/cm²以上的密度具有不重叠的50μm见方的无位错区域。

7.根据权利要求1或6所述的氮化物半导体基板，其氧浓度为5×10¹⁶cm^-3以下。

8.根据权利要求1或6所述的氮化物半导体基板，其中，所述主面具有位错密度为1.6×10⁵cm^-2以上且7.2×10⁵cm^-2以下的范围内的低位错密度区域。