[发明专利]高密度等离子体处理设备在审
| 申请号： | 201980055536.4 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112602165A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | M.思韦茨;P.霍克利 | 申请（专利权）人： | 戴森技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/34;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张邦帅 |
| 地址： | 英国威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 高密度等离子体处理设备(1)。该设备包括：包含气态介质的处理腔室(2)；和延伸穿过处理腔室的一段天线(9)；从处理腔室包围天线的壳体；和一个或多个磁体(6、11)。在使用中，天线激发处理腔室内的气态介质以产生等离子体(24)；且其中所述一个或多个磁体被配置使得等离子体在相对于天线长度的正交方向上以片状传播跨过处理腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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