[发明专利]高密度等离子体处理设备

权利要求书

1.一种高密度等离子体处理设备，包括：

处理腔室，包含气态介质，所述处理腔室被分成两个分离空间：等离子体产生空间和等离子体处理空间，所述处理腔室还包括：

一段天线和包围天线的壳体，天线和壳体均延伸穿过处理腔室的等离子体产生空间；

位于处理腔室的等离子体处理空间内的处理表面；以及

位于处理腔室内的一个或多个磁体；

其中，在使用中，天线激发处理腔室的气态介质以产生等离子体，所述一个或多个磁体配置成使得等离子体被限制为均匀高密度片并以均匀高密度片传播到等离子体处理空间中且传播跨过所述处理表面。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述处理腔室包括至少两个壁，所述壳体是连接到所述至少两个壁中的两个壁的管，所述管在至少两个壁之间延伸穿过所述处理腔室，使得等离子体在处理腔室的两个壁之间的空间中均匀地产生。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述天线是RF发射器，并且所述壳体至少部分地透过RF辐射。

4.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述壳体具有内部容积，所述内部容积在使用中被保持在与所述处理腔室不同的压力下。

5.根据权利要求3所述的设备，其中，所述壳体通向所述处理腔室外部的大气。

6.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述一个或多个磁体中的至少一个被放置在所述处理腔室的等离子体处理空间内。

7.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述设备在所述处理腔室内不包括分离的等离子体腔室。

8.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其中天线是螺旋缠绕的线。

9.根据上述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述设备包括延伸穿过所述处理腔室的等离子体产生空间的单段天线。

10.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述壳体和天线形成线性等离子体源，并且所述壳体和天线作为所述处理腔室的一部分结合在所述等离子体产生空间中。

11.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述设备是沉积设备，所述处理表面是目标和/或沉积表面，并且所述等离子体片在所述等离子体处理空间中沿与目标和/或处理表面大体平行的方向传播。