[发明专利]含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法和含硅氧化物被覆氮化铝粒子有效
申请号: | 201980055075.0 | 申请日: | 2019-08-23 |
公开(公告)号: | CN112585087B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 大冢雄树;冈本英俊;御法川直树 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | C01B21/072 | 分类号: | C01B21/072;C08K9/06;C08L101/00;C09C1/40;C09C3/12 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 李照明;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供能制造维持氮化铝粒子的高导热性、且耐湿性提高的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法、含有含硅氧化物被覆氮化铝粒子的散热性树脂组合物的制造方法和含硅氧化物被覆氮化铝粒子。一种含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法,所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子具有氮化铝粒子和覆盖所述氮化铝粒子表面的含硅氧化物被膜,所述制造方法具有:通过包含特定结构的有机硅氧烷化合物覆盖所述氮化铝粒子表面的第1步骤,以及在300℃以上且小于1000℃的温度下加热被所述有机硅氧烷化合物覆盖的所述氮化铝粒子的第2步骤;其中、所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子的碳原子含量为小于1000质量ppm。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 被覆 氮化 粒子 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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