[发明专利]含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法和含硅氧化物被覆氮化铝粒子

权利要求书

1.一种含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法，所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子具有氮化铝粒子和覆盖所述氮化铝粒子表面的含硅氧化物被膜，所述制造方法具有：

通过具有下述式(1)所示结构的有机硅氧烷化合物覆盖所述氮化铝粒子表面的第1步骤，以及

在300℃以上且小于1000℃的温度下加热被所述有机硅氧烷化合物覆盖的所述氮化铝粒子的第2步骤；其中

所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子的碳原子含量为小于1000质量ppm；

式(1)中，R为碳原子数4以下的烷基，

所述具有式(1)所示结构的有机硅氧烷化合物包含下述式(2)所示的化合物和下述式(3)所示的化合物中的至少一者；

式(2)中，R1和R2各自独立为氢原子或甲基，R1和R2中的至少一者为氢原子，m为0～10的整数；

式(3)中，n为3～6的整数。

2.如权利要求1所述的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法，所述第2步骤的加热温度为300℃以上且800℃以下，所述含硅氧化物被膜为二氧化硅被膜，所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子为二氧化硅被覆氮化铝粒子。

3.如权利要求1所述的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法，在所述第1步骤中，所述有机硅氧烷化合物的被覆量是：根据所述氮化铝粒子的通过BET法求出的比表面积所算出的表面积每1m²上为0.1mg以上且1.0mg以下，所述比表面积的单位为m²/g。

4.如权利要求1所述的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法，所述第1步骤通过干式混合法或气相吸附法进行。

5.如权利要求1所述的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法，所述第1步骤在不包含氧气的环境下进行。

6.如权利要求1所述的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法，所述第1步骤在10℃以上且200℃以下的温度条件下进行。

7.一种散热性树脂组合物的制造方法，具有以下混合步骤：将通过权利要求1～6中任一项所述的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法制造出的所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子与树脂混合。

8.一种含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法，所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子具有氮化铝粒子和覆盖所述氮化铝粒子表面的含硅氧化物被膜，所述制造方法具有：

通过具有下述式(1)所示结构的有机硅氧烷化合物覆盖所述氮化铝粒子表面的第1步骤，以及

在300℃以上且小于1000℃的温度下加热被所述有机硅氧烷化合物覆盖的所述氮化铝粒子的第2步骤；其中

所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子的碳原子含量为小于1000质量ppm；

式(1)中，R为碳原子数4以下的烷基，

所述第1步骤通过气相吸附法进行。

9.如权利要求8所述的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法，所述第2步骤的加热温度为300℃以上且800℃以下，所述含硅氧化物被膜为二氧化硅被膜，所述含硅氧化物被覆氮化铝粒子为二氧化硅被覆氮化铝粒子。

10.如权利要求8所述的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法，在所述第1步骤中，所述有机硅氧烷化合物的被覆量是：根据所述氮化铝粒子的通过BET法求出的比表面积所算出的表面积每1m²上为0.1mg以上且1.0mg以下，所述比表面积的单位为m²/g。

11.如权利要求8所述的含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法，所述第1步骤在不包含氧气的环境下进行。