[发明专利]SiC单晶、SiC晶锭的制造方法及SiC晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201980054072.5 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112567077B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 野口骏介;藤川阳平;鹰羽秀隆 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在该SiC单晶中，通过俯视中心且沿着1‑100方向切割而成的切割面中的原子排列面的弯曲量与通过俯视中心且沿着与所述1‑100方向垂直的11‑20方向切割而成的切割面中的原子排列面的弯曲量之差为60μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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