[发明专利]SiC单晶、SiC晶锭的制造方法及SiC晶片的制造方法

权利要求书

1.一种SiC单晶，

通过俯视中心且沿着1-100方向切割而成的切割面中的原子排列面的弯曲量、与通过俯视中心且沿着与所述1-100方向垂直的11-20方向切割而成的切割面中的原子排列面的弯曲量之差为60μm以下，

所述弯曲量是SiC单晶的俯视中心处的原子位置与SiC单晶的端部处的[000-1]方向的原子位置之差，

SiC单晶在俯视下是圆形或者虽然一部分缺损但若将该缺损的部分假想地弥补则成为圆形的情况下，俯视中心意味着该圆形的中心，SiC单晶的晶锭进行了晶体生长后，以与晶体生长方向垂直的截面切割而成的晶片或切割体是俯视圆形的情况下，俯视中心意味着该圆形的中心，将SiC单晶的晶锭以与晶体生长方向交叉的、除了垂直方向以外的方向切割而成的晶片或切割体是俯视椭圆形的情况下，俯视中心意味着该椭圆形的长轴和短轴的交点。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶，

通过俯视中心且沿着以[1-100]方向为基准多次转动且每次转动30°而得的6个边切割而成的各切割面中，原子排列面的弯曲量的最大值与最小值之差为60μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的SiC单晶，

在任意的切割面中原子排列面向同一方向弯曲。

4.根据权利要求1或2所述的SiC单晶，

所述原子排列面的每单位长度的弯曲量的最大值与最小值之差为4μm/cm以下。

5.根据权利要求1或2所述的SiC单晶，

俯视时的直径为140mm以上。

6.根据权利要求1或2所述的SiC单晶，

厚度为500μm以上。

7.一种SiC晶锭的制造方法，

将权利要求1~5中任一项所述的SiC单晶作为籽晶，在所述籽晶的C面即（000-1）面或相对于C面成0~10°偏角的面上使SiC单晶进行晶体生长。

8.一种SiC晶片的制造方法，

对利用权利要求7所述的SiC晶锭的制造方法制作出的SiC晶锭进行切片。