[发明专利]低粒子等离子体蚀刻的方法和设备在审
| 申请号： | 201980053752.5 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112534546A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | J·维查尔特;B·柯蒂斯;F·巴隆 | 申请（专利权）人： | 瑞士艾发科技 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜云霞;王玮 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种等离子体蚀刻装置，包括用于至少一个板形基板的真空腔室(2)，真空腔室具有环绕中心轴线(A)的侧壁(18，18’)，该腔室包括基板处理开口(28)；用于还原性气体和惰性气体的至少一个入口(34)；基座(11，11’)，其在腔室(2)的蚀刻隔室(31)的中央下部区域中形成为基板支撑件，基座(11)以电隔离的方式安装在腔室(2)中，并连接到第一电压源(8)的第一极，从而形成第一电极(11，11’)，基座包围第一加热和冷却机构(16，16’)；第二电极(12，12’)，其电连接到地并围绕第一电极(11，11’)；第三电极(13)，其电连接到地，包括至少一个上屏蔽件(13’)和帘栅屏蔽件(13”)，两者彼此热连接和电连接，其中帘栅屏蔽件(13”)环绕蚀刻隔室(31)；‑其中上屏蔽件(13’)和帘栅屏蔽件(13”)中的至少一个包括至少一个另外的加热和/或冷却机构(17，17’)。装置(1)还包括真空泵系统(4)和感应线圈(9)，感应线圈(9)至少环绕限定蚀刻隔室(31)侧壁的上侧壁(18)，其中线圈(9)的一个第一端(9’)连接到第二电压源(10)的第一极，以及线圈的一个第二端(9”)连接到地。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子 等离子体 蚀刻 方法 设备 | ||
【主权项】：
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