[发明专利]低粒子等离子体蚀刻的方法和设备

权利要求书

1.等离子体蚀刻装置，包括

用于至少一个板形基板的真空腔室(2)，所述真空腔室(2)具有环绕中心轴线(A)的侧壁(18，18’)，所述腔室包括：

-基板处理开口(28)；

-用于还原性气体和惰性气体的至少一个入口(34 )；

-基座(11，11’)，其在所述腔室(2)的蚀刻隔室(31)的中央下部区域中形成为基板支撑件，所述基座(11)以电隔离的方式安装在所述腔室(2)中，并连接到第一电压源(8)的第一极，从而形成第一电极(11，11’)，所述基座包围第一加热和冷却机构(16，16’，35)；

-第二电极(12，12’)，其电连接到地并围绕所述第一电极(11，11’)；

-第三电极(13)，其电连接到地，包括至少一个上屏蔽件(13’)和帘栅屏蔽件(13”)，所述上屏蔽件(13′)和所述帘栅屏蔽件(13”)彼此热连接和电连接，由此所述帘栅屏蔽件(13”)环绕所述蚀刻隔室(31)；

-其中所述上屏蔽件(13’)和所述帘栅屏蔽件(13”)中的至少一个包括至少一个另外的加热和/或冷却机构(17，17’，36)，

所述装置(1)还包括真空泵系统(4)和感应线圈(9)，所述感应线圈(9)环绕限定所述蚀刻隔室(31)的所述侧壁的至少一上侧壁(18)，由此所述线圈(9)的一个第一端(9’)连接到第二电压源(10)的第一极，并且所述线圈的一个第二端(9”)连接到地。

2.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，控制机构包括控制电路，用于根据由温度测量装置测量的基板温度来设定加热功率和/或冷却功率。

3.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，构成所述第二电极的表面的下屏蔽件(12)连接到另外的加热和/或冷却机构(17，17’，36)，或者包括补充加热和/或冷却机构(29，29’)。

4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一加热机构(16，16’，35)、另外的加热机构(17，17’，36)和补充加热装置(29，29’) 中的至少一个包括电阻加热装置、辐射加热装置或至少一个包含加热流体的加热回路，并且所述第一冷却机构、另外的冷却机构和补充冷却机构中的至少一个包括至少一个包含冷却流体的冷却回路。

5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一加热机构(16，16′)、另外的加热机构(17，17′，36)和补充加热机构(29，29′)中的至少一个包括流体回路，流体回路的进入口连接到两个不同温度的流体储存器和混合单元，以设定加热/冷却温度。

6.根据权利要求5或6中任一项所述的装置，其特征在于，所述加热和冷却回路(16’、35)和所述加热和/或冷却回路(17’、36、29’)中的至少一个直接安装到所述基座(11、11’)和所述屏蔽件(12, 13, 13’, 13”)中的至少一个上或其中。

7.根据权利要求5至7中任一项所述的装置，其特征在于，至少一个加热和/或冷却回路(17’、29’)安装在腔室壁内，以通过相应的壁(18’、19)与相应的屏蔽件(12、13’、13”)之间的大范围接触面积来加热或冷却所述屏蔽件(12、13’、13”)中的至少一个。

8.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述至少一个入口(34)连接到至少一个还原性气体储存器(21’)和至少一个惰性气体储存器(21)。

9.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述还原性气体包括氢气和在室温下挥发的烃气体中的至少一种，并且所述惰性气体包括氩（Ar）、氦（He）、氖(Ne)和氙（Xe）中的至少一种。