[发明专利]用于覆盖用于SiC层沉积的装置的基座的指向过程室的侧面的盖板在审

专利信息
申请号: 201980047276.6 申请日: 2019-06-14
公开(公告)号: CN112424394A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: B.D.赖特;B.奥尼尔 申请(专利权)人: 艾克斯特朗欧洲公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458;C30B25/12;H01L21/687
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 任丽荣
地址: 德国黑*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种用于在平坦的衬底(8)上沉积层的装置,其具有可由加热设备(6)加热的基座(1),在基座的面向过程室的顶侧面上布置有衬底(8)和包围衬底的盖板(10,15,16),其中,内盖板(10)分别形成邻接在衬底(8)的面向所述基座(1)的中心(M)的边缘(8’)上的边缘(20),并且两个在围绕所述中心(M)的周向上并排布置的盖板(10)在分界缝(11)上相互邻接。根据本发明建议分界缝(11)以角度α相对于沿径向穿过所述基座(1)的中心(M)和所述衬底(8)的中心(13)划出的径向线角度错移地延伸。
搜索关键词: 用于 覆盖 sic 沉积 装置 基座 指向 过程 侧面 盖板
【主权项】:
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