[发明专利]用于覆盖用于SiC层沉积的装置的基座的指向过程室的侧面的盖板

权利要求书

1.一种用于在平坦的衬底(8)上沉积层的设备的形式的装置，其具有可由加热设备(6)加热的基座(1)，在基座的指向过程室的顶侧面上布置有衬底(8)和包围衬底(8)的盖板(10,15,16)，其中，内盖板(10)分别形成邻接在衬底(8)的指向所述基座(1)的中心(M)的边缘(8’)上的边缘(20)，并且两个在围绕所述中心(M)的周向上并排布置的盖板(10)在分界缝(11)上相互邻接，其特征在于，分界缝(11)以角度(α)相对于沿径向穿过所述基座(1)的中心(M)和所述衬底(8)的中心(13)划出的径向线(12)角度错移地延伸，并且，分界缝(11)或者分界缝(11)的延长线(11’)和径向线(12)之间的交点(14)沿径向位于所述中心(M)之外。

2.一种用于按照权利要求1所述的设备的基座组件形式的装置，其中，在基座(1)的指向过程室的表面上布置有衬底(8)和包围衬底的盖板(10,15,16)，其中，内盖板(10)分别形成邻接在衬底(8)的指向所述基座(1)的中心(M)的边缘(8’)上的边缘(20)，并且两个在围绕所述中心(M)的周向上并排布置的盖板(10)在分界缝(11)上相互邻接，其特征在于，分界缝(11)以角度(α)相对于沿径向穿过所述基座(1)的中心(M)和所述衬底(8)的中心(13)划出的径向线(12)角度错移地延伸，其中，分界缝(11)或者分界缝(11)的延长线(11’)和径向线(12)之间的交点(14)沿径向位于所述中心(M)之外。

3.一种用于按照权利要求1所述的设备或者按照权利要求2所述的基座组件的盖板形式的装置，其中，盖板(10)构成在圆弧线上延伸的边缘(20)，以便贴靠在衬底(8)的边缘(8’)上，并且多个相同设计的盖板(10)能够沿周向围绕中心并排布置，使得侧向的边缘(22,23)在分界缝(11)上相互邻接，其特征在于，分界缝(11)以角度(α)相对于沿径向穿过所述基座(1)的中心(M)和所述衬底(8)的中心(13)划出的径向线(12)角度错移地延伸。

4.按照权利要求1所述的装置、按照权利要求2所述的基座组件或者按照权利要求3所述的盖板在用于沉积SiC、GaN、GaAs、AsP或者其他半导体层的CVD反应器中的应用，其中，通过气体入口(7)将气态的原材料，尤其含有硅和碳，或者镓和氮、镓、砷和氮或者砷和磷的原材料供应到CVD反应器的过程室(2)中并且利用加热设备(6)将基片(8)加热至大于600摄氏度、800摄氏度、1000摄氏度，优选大于1300摄氏度的温度。

5.按照权利要求1所述的装置，按照权利要求2所述的基座组件、按照权利要求3所述的盖板或者按照权利要求4所述的应用，其特征在于，穿过分界缝(11)划出的线(11’)延伸穿过盖板(10)的邻接在衬底(8)上的边缘(20)。

6.按照权利要求1或5所述的装置，按照权利要求2或5所述的基座组件、按照权利要求3或5所述的盖板或者按照权利要求4或5所述的应用，其特征在于，在交点(14)和中心(M)之间的距离大于10mm或者20mm。

7.按照上述权利要求之一所述的装置或者应用，其特征在于，盖板(10)沿径向在内侧包围至少两个衬底(8)。

8.按照上述权利要求之一所述的装置或者应用，其特征在于，在分界缝(11)的延长线(11”)和径向线(12)之间的角度(α)在10度至40度之间的范围中，优选在20度至30度之间的范围中。

9.按照上述权利要求之一所述的装置或者应用，其特征在于，沿径向在内盖板(10)的外部配设有外盖板(15)。

10.按照上述权利要求之一所述的装置或者应用，其特征在于，配设有中心盖板(16)。

11.按照上述权利要求之一所述的装置或者应用，其特征在于，外盖板(15)相对于外盖板(10)的径向外部边缘以开口的通道(19)构造。