[发明专利]在低温下对工件进行热处理和温度测量的系统和方法在审
| 申请号： | 201980044888.X | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN112437975A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 罗尔夫·布雷芒斯多费尔;M·利贝雷尔;P·J·蒂曼斯;杨晓晅 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 郗名悦;闫茂娟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了在低温下热处理工件的系统和方法。在一个示例实现方式中，热处理设备包括具有工件支撑件的处理腔室。该工件支撑件可以被配置为用于支撑工件。该设备可以包括一个或多个热源，该一个或多个热源被配置为发射第一波长范围内的电磁辐射以将该工件加热至处理温度。该处理温度可以在约50℃至150℃的范围内。该设备可以包括一个或多个传感器，这些传感器被配置为用于当该工件处于该处理温度时获得对第二波长范围内的电磁辐射的测量。该第二波长范围可以不同于该第一波长范围。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 工件 进行 热处理 温度 测量 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
