[发明专利]在低温下对工件进行热处理和温度测量的系统和方法在审

申请号：	201980044888.X	申请日：	2019-07-11
公开（公告）号：	CN112437975A	公开（公告）日：	2021-03-02
发明（设计）人：	罗尔夫·布雷芒斯多费尔;M·利贝雷尔;P·J·蒂曼斯;杨晓晅	申请（专利权）人：	玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/324;H01L21/02
代理公司：	北京市铸成律师事务所 11313	代理人：	郗名悦;闫茂娟
地址：	美国加利***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	低温工件进行热处理温度测量系统方法
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【说明书】：

公开了在低温下热处理工件的系统和方法。在一个示例实现方式中，热处理设备包括具有工件支撑件的处理腔室。该工件支撑件可以被配置为用于支撑工件。该设备可以包括一个或多个热源，该一个或多个热源被配置为发射第一波长范围内的电磁辐射以将该工件加热至处理温度。该处理温度可以在约50℃至150℃的范围内。该设备可以包括一个或多个传感器，这些传感器被配置为用于当该工件处于该处理温度时获得对第二波长范围内的电磁辐射的测量。该第二波长范围可以不同于该第一波长范围。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月31日提交的名称为“Systems and Methods for ThermalProcessing and Temperature Measurement of a Workpiece at Low Temperatures(在低温下对工件进行热处理和温度测量的系统和方法)”的美国临时申请序列第62/725,414号的优先权权益，其通过引用并入本文。本申请要求于2018年8月22日提交的名称为“Systems and Methods for Thermal Processing and Temperature Measurement of aWorkpiece at Low Temperatures(在低温下对工件进行热处理和温度测量的系统和方法)”的美国临时申请序列第62/720,967号的优先权权益，其通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及一种用于工件(例如半导体工件)的热处理系统。

背景技术

本文使用的热处理腔室是指可以加热一个或多个工件(例如半导体晶片)的装置。该装置可以包括用于支撑该工件的支撑板和用于加热该工件的能源，例如加热灯、激光器或其他热源。在热处理期间，可以在受控条件下将工件加热到预设温度模式。例如，该工件可以被穿过该支撑板的灯具阵列加热至例如从约50℃至约150℃，如约100℃的温度。在热处理期间，首要目标可以是尽可能精确地测量工件温度。

发明内容

本公开的实施例的方面和优点将在以下描述中部分地阐述，或者可以从描述中获悉，或者可以通过实施例的实践获悉。

本公开的一个示例方面涉及一种热处理设备。该设备包括具有工件支撑件的处理腔室。该工件支撑件可以被配置为用于支撑工件。该设备可以包括一个或多个热源，该一个或多个热源被配置为发射第一波长范围内的电磁辐射以将该工件加热至处理温度。该处理温度可以在约50℃至150℃的范围内。该设备可以包括一个或多个传感器，这些传感器被配置为用于当该工件处于该处理温度时获得对第二波长范围内的电磁辐射的测量。该第二波长范围可以不同于该第一波长范围。

参照以下描述和所附权利要求书将更好地理解各种实施例的这些和其它特征、方面和优点。并入本说明书并构成本说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释相关原理。

附图说明

在参照附图的说明书中阐述了针对本领域普通技术人员的实施例的详细讨论，其中：

图1描绘了根据本公开的示例实施例的示例热处理设备；

图2描绘了根据本公开的示例实施例的示例热处理设备；

图3描绘了根据本公开的示例实施例的示例工件材料的示例透射光谱；

图4描绘了根据本公开的示例实施例的示例工件材料的透射率相对于温度的示例变化；

图5描绘了根据本公开的示例实施例的示例热处理设备；

图6描绘了根据本公开的示例实施例的示例工件的示例发射率光谱；

图7描绘了根据本公开的示例实施例的在示例温度下的示例黑体辐射曲线；

图8描绘了根据本公开的示例实施例的用于对工件进行热处理的示例方法；

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