[发明专利]单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法有效
| 申请号： | 201980039589.7 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN112334608B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 竹野博 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B33/04 | 分类号： | C30B33/04;C30B29/06;C30B33/02;H01L21/322;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;刘言 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其中进行准备单晶硅基板的准备工序、粒子束照射工序及粒子束照射工序后的热处理工序，所述控制方法的特征在于，在进行准备工序之前，具有预先对试验用单晶硅基板照射粒子束后进行热处理并测定产生的缺陷密度的测定工序、以及取得所测定的缺陷密度与氮浓度的相关关系的相关关系取得工序，并基于已取得的相关关系，以使热处理工序后的单晶硅基板中的缺陷密度成为目标值的方式调节准备的单晶硅基板的氮浓度。由此提供一种在利用粒子束照射与热处理控制缺陷密度的器件的制造工序中，能够减小起因于单晶硅基板的缺陷密度的偏差，以高精度控制缺陷密度的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 中的 缺陷 密度 控制 方法 | ||
【主权项】：
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