[发明专利]单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法

权利要求书

1.一种单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其中进行下述工序：

准备控制缺陷密度的单晶硅基板的准备工序；

对准备的所述单晶硅基板照射粒子束的粒子束照射工序；以及

所述粒子束照射工序后的对所述单晶硅基板实施热处理的热处理工序，所述控制方法的特征在于，

在进行所述准备工序之前，具有：

预先对氮浓度不同的多个试验用单晶硅基板照射所述粒子束后进行热处理，并测定所述多个试验用单晶硅基板中产生的缺陷密度的测定工序；以及

取得所测定的所述缺陷密度与所述氮浓度的相关关系的相关关系取得工序，

并基于已取得的所述相关关系，以使所述热处理工序后的所述单晶硅基板中的缺陷密度成为目标值的方式，调节所述准备工序中准备的所述单晶硅基板的氮浓度。

2.根据权利要求1所述的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其特征在于，作为控制所述缺陷密度的对象的缺陷为碳或含有碳及氧的复合体。

3.根据权利要求1所述的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其特征在于，在所述测定工序中，作为测定所述缺陷密度的方法，使用阴极射线发光法或光致发光法。

4.根据权利要求2所述的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其特征在于，在所述测定工序中，作为测定所述缺陷密度的方法，使用阴极射线发光法或光致发光法。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其特征在于，由利用悬浮区熔法生长的掺氮单晶硅制造准备的所述单晶硅基板。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其特征在于，在所述准备工序中，准备氮浓度的偏差被调节至目标氮浓度值的10％以内的单晶硅基板。

7.根据权利要求5所述的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其特征在于，在所述准备工序中，准备氮浓度的偏差被调节至目标氮浓度值的10％以内的单晶硅基板。