[发明专利]用于控制处理材料到沉积腔室的流动的设备和方法在审
| 申请号： | 201980039537.X | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN112400222A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·勒纳;罗伊·夏维夫;菲利普·斯托特;约瑟夫·M·拉内什;普拉沙斯·科斯努;萨蒂什·拉德哈基什南 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L51/00;H01L21/02;H01L27/146;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于控制处理材料到沉积腔室的流动的方法和设备。在实施方式中，所述设备包括沉积腔室，沉积腔室通过一个或更多个输送管线而与一个或更多个升华器流体连通，其中一个或更多个升华器的每一者包括安瓿以及至少第一热源和第二热源，安瓿通过开口而与一个或更多个输送管线流体连通，其中第一热源为与安瓿相邻的辐射热源，且第二热源与开口相邻，其中一个或更多个输送管线包括在沉积腔室与一个或更多个升华器之间的一个或更多个导管，且其中一个或更多个导管包括一个或更多个阀门，以用于打开或关闭一个或更多个导管，其中处于打开位置的一个或更多个阀门防止处理材料流动进入沉积腔室，且其中处于关闭位置的一个或更多个阀门引导处理材料流动进入沉积腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 处理 材料 沉积 流动 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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