[发明专利]用于控制处理材料到沉积腔室的流动的设备和方法在审
| 申请号: | 201980039537.X | 申请日: | 2019-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN112400222A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
| 发明(设计)人: | 亚历山大·勒纳;罗伊·夏维夫;菲利普·斯托特;约瑟夫·M·拉内什;普拉沙斯·科斯努;萨蒂什·拉德哈基什南 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L51/00;H01L21/02;H01L27/146;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 控制 处理 材料 沉积 流动 设备 方法 | ||
1.一种用于控制处理材料到沉积腔室的流动的设备,包括:
沉积腔室,所述沉积腔室通过一个或更多个输送管线而与一个或更多个升华器流体连通,其中所述一个或更多个升华器的每一者包括安瓿以及至少第一热源和第二热源,所述安瓿通过开口而与所述一个或更多个输送管线流体连通,其中所述第一热源为与所述安瓿相邻的辐射热源,且所述第二热源与所述开口相邻,其中所述一个或更多个输送管线包括在所述沉积腔室与所述一个或更多个升华器之间的一个或更多个导管,且其中所述一个或更多个导管包括一个或更多个阀门,以用于打开或关闭所述一个或更多个导管,其中当所述一个或更多个输送管线中存在处理材料时,处于打开位置的所述一个或更多个阀门防止处理材料流动进入所述沉积腔室,且其中当所述一个或更多个输送管线中存在处理材料时,处于关闭位置的所述一个或更多个阀门引导处理材料流动进入所述沉积腔室。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述第二热源位于所述开口上方并与所述开口相邻。
3.如权利要求1或2所述的设备,其中所述第二热源包括一个或更多个红外(IR)或宽频辐射热源。
4.如权利要求1至3中任一项所述的设备,其中所述第一热源被配置为在所述安瓿中存在处理材料时将所述处理材料加热至第一温度,并且所述第二热源被配置为将所述处理材料加热至第二温度,所述第二温度大于所述第一温度。
5.如权利要求1至4中任一项所述的设备,其中所述沉积腔室包括在所述沉积腔室下游的排气路径。
6.如权利要求5所述的设备,其中所述排气路径分成第一排气流动路径和第二排气流动路径。
7.如权利要求6所述的设备,其中所述第一排气流动路径包括压力阀,并且所述第二排气流动路径包括节流阀。
8.如权利要求7所述的设备,其中所述一个或更多个导管在所述节流阀下游的第一接点处连接至所述第二排气流动路径。
9.如权利要求8所述的设备,其中第一泵位于所述第一接点的下游。
10.如权利要求9所述的设备,其中所述第一排气流动路径和所述第二排气流动路径在所述压力阀和第一泵下游的第二接点处合并。
11.如权利要求10所述的设备,其中第二泵位于所述第二接点的下游。
12.如权利要求1至11中任一项所述的设备,其中所述第一热源包括辐射热源,并且所述第二热源包括红外(IR)或宽频辐射热源,且其中所述辐射热源与红外(IR)或宽频辐射热源在不同的加热区。
13.一种用于控制处理材料到沉积腔室的流动的方法,包括以下步骤:
在一个或更多个升华器中升华一种或更多种前驱物材料,以形成一种或更多种蒸汽前驱物,其中所述一个或更多个升华器的每一者包括安瓿以及至少第一热源和第二热源,所述安瓿通过开口而与一个或更多个输送管线流体连通,其中所述第一热源为与所述安瓿相邻的辐射热源,且所述第二热源与所述开口相邻;
使所述一种或更多种蒸汽前驱物流经与沉积腔室流体连通的一个或更多个输送管线;其中所述一个或更多个输送管线在所述沉积腔室与一个或更多个升华器之间的接点处连接至一个或更多个导管;和
设定所述一个或更多个导管中的一个或更多个阀门,以控制前驱物材料从所述一个或更多个升华器到所述沉积腔室的流动。
14.如权利要求13所述的方法,其中将一个或更多个阀门设定于打开位置以防止处理材料流动进入所述沉积腔室,且其中将一个或更多个阀门设定于关闭位置以引导处理材料流动进入所述沉积腔室。
15.一种具有存储其上的指令的非暂态计算机可读介质,在执行所述指令时实现用于控制处理材料到沉积腔室的流动的方法,包括以下步骤:
在一个或更多个升华器中升华一种或更多种前驱物材料,以形成一种或更多种蒸汽前驱物;
使所述一种或更多种蒸汽前驱物流经与沉积腔室流体连通的一个或更多个输送管线;其中所述一个或更多个输送管线在所述沉积腔室与一个或更多个升华器之间的接点处连接至一个或更多个导管;和
设定所述一个或更多个导管中的一个或更多个阀门,以控制前驱物材料从所述一个或更多个升华器到所述沉积腔室的流动。
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