[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管的驱控在审
| 申请号： | 201980036328.X | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN112204865A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 马克-马蒂亚斯·巴克兰;于尔根·伯默尔;马丁·黑尔斯佩尔;埃伯哈德·乌尔里希·克拉夫特;贝恩德·拉斯卡;安德烈亚斯·纳格尔;斯特凡·汉斯·维尔纳·舍内沃夫;简·魏格尔 | 申请（专利权）人： | 西门子股份公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M3/158;H03K17/082;H03K17/16;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 陈方鸣 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于驱控MOSFET(1)、特别是基于具有宽的带隙的半导体的MOSFET(1)的方法和驱控装置(3)。根据本发明，监控MOSFET(1)的体二极管(2)是否是电导通的。当体二极管(2)是电导通的时，接通MOSFET(1)，并且当体二极管(2)是电阻断的时，根据驱控信号(S1)驱控MOSFET(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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