[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管的驱控

权利要求书

1.一种用于驱控MOSFET(1)的方法，所述MOSFET特别是基于具有宽的带隙的半导体的MOSFET(1)，所述方法用于驱控具有多个MOSFET(1)的变流器(19)，其中，在导致了所述变流器(19)的所有MOSFET(1)断开的故障出现之后，

-监控：所述MOSFET(1)的体二极管(2)是否是电导通的；

-当所述体二极管(2)是电导通的时，接通所述MOSFET(1)；并且

-当所述体二极管(2)是电阻断的时，根据驱控信号(S1)驱控所述MOSFET(1)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，预先给定用于所述MOSFET(1)的漏极端子(D)与源极端子(S)之间的漏极源极间电压(U)的第一电压阈值(U1)，检测所述漏极源极间电压(U)，并且当所述漏极源极间电压(U)未达到所述第一电压阈值(U1)时，推导出所述体二极管(2)是电导通的。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，预先给定用于所述漏极源极间电压(U)的第二电压阈值(U2)，并且当所述漏极源极间电压(U)超过所述第二电压阈值(U2)时，推导出所述体二极管(2)是电阻断的。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，两个电压阈值(U1、U2)是负的，并且所述第二电压阈值(U2)大于所述第一电压阈值(U1)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，预先给定用于在所述MOSFET(1)的漏极端子(D)与源极端子(S)之间沿所述体二极管(2)的流通方向流动的漏极源极间电流的漏极源极间电流强度的第一电流阈值，检测所述漏极源极间电流强度，并且当所述漏极源极间电流强度超过所述第一电流阈值时，推导出所述体二极管(2)是电导通的。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，预先给定用于所述漏极源极间电流强度的第二电流阈值，所述第二电流阈值小于所述第一电流阈值，并且当所述漏极源极间电流强度未达到所述第二电流阈值时，推导出所述体二极管(2)是电阻断的。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，检测在所述MOSFET(1)的漏极端子(D)与源极端子(S)之间流动的漏极源极间电流的方向，并且当所述漏极源极间电流沿所述体二极管(2)的流通方向流动时，推导出所述体二极管(2)是电导通的。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，当所述漏极源极间电流沿与所述体二极管(2)的流通方向相反的方向流动时，推导出所述体二极管(2)是电阻断的。

9.一种用于执行根据前述权利要求中任一项所述的方法的驱控装置(3)，所述驱控装置(3)包括：

-监视单元(5)，所述监视单元设计用于得出：所述体二极管(2)是否是电导通的或者是否是电阻断的；以及

-控制单元(7)，所述控制单元设计用于，在导致了所述变流器(19)的所有MOSFET(1)断开的故障出现之后，当所述监视单元(5)得出所述体二极管(2)是电导通的时，则接通所述MOSFET(1)，并且当所述体二极管(2)是电阻断的时，则根据驱控信号(S1)驱控所述MOSFET(1)。

10.根据权利要求9以及权利要求2至4之一所述的驱控装置(3)，其中，所述监视单元(5)设计用于检测所述漏极源极间电压(U)并且根据所述漏极源极间电压(U)得出：所述体二极管(2)是否是电导通的或者是否是电阻断的。

11.根据权利要求9以及权利要求5或6所述的驱控装置(3)，其中，所述监视单元(5)设计用于检测所述漏极源极间电流强度并且根据所述漏极源极间电流强度确定：所述体二极管(2)是否是电导通的或者是否是电阻断的。