[发明专利]薄膜表面可安装高频耦合器在审
| 申请号： | 201980026119.7 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111989819A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | A.L.塔拉莱夫斯基;M.马雷克;E.奥尼尔 | 申请（专利权）人： | 阿维科斯公司 |
| 主分类号： | H01P5/18 | 分类号： | H01P5/18;H01P3/00;H01P3/18;H01P11/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王冉 |
| 地址： | 美国南卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种高频耦合器，其配置成用于栅格阵列型表面安装。耦合器包括具有顶表面和底表面的单块基础基板。第一薄膜微带和第二薄膜微带各自设置在单块基础基板的顶表面上。每个微带具有输入端和输出端。至少一个过孔从单块基础基板的顶表面延伸穿过单块基础基板至底表面。过孔与第一微带或第二微带的输入端或输出端中的至少一个电连接。耦合器在约28GHz时的耦合因子大于约‑30dB。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 表面 安装 高频 耦合器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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