[发明专利]薄膜表面可安装高频耦合器在审

专利信息
申请号: 201980026119.7 申请日: 2019-02-27
公开(公告)号: CN111989819A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: A.L.塔拉莱夫斯基;M.马雷克;E.奥尼尔 申请(专利权)人: 阿维科斯公司
主分类号: H01P5/18 分类号: H01P5/18;H01P3/00;H01P3/18;H01P11/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王冉
地址: 美国南卡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 表面 安装 高频 耦合器
【说明书】:

公开了一种高频耦合器,其配置成用于栅格阵列型表面安装。耦合器包括具有顶表面和底表面的单块基础基板。第一薄膜微带和第二薄膜微带各自设置在单块基础基板的顶表面上。每个微带具有输入端和输出端。至少一个过孔从单块基础基板的顶表面延伸穿过单块基础基板至底表面。过孔与第一微带或第二微带的输入端或输出端中的至少一个电连接。耦合器在约28GHz时的耦合因子大于约‑30dB。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年3月6日提交的美国临时专利申请序列号62/639309和于2018年3月13日提交的美国临时专利申请序列号62/642219的申请权益,其全部内容通过引用合并于此。

背景技术

高频无线电信号通信已经逐渐普及。例如,对于提高无线智能手机连接的数据传输速度的需求推动了对高频部件的需求,包括配置成以5G频谱频率运行的那些部件。小型化的趋势也增加了处理这种高频信号的小型无源部件的需求。小型化还增加了适于以5G频谱运行的表面安装的小型无源部件的难度。易于表面安装的紧凑的高频耦合器在本领域中将受到欢迎。

发明内容

根据本发明的一实施例,公开了一种高频表面可安装耦合器。耦合器包括单块基础基板,其具有顶表面、底表面、沿纵向方向的长度和沿与纵向方向垂直的横向方向的宽度。耦合器包括第一薄膜微带,其设置在单块基础基板的顶表面上。第一微带具有输入端和输出端。耦合器包括第二薄膜微带,其设置在单块基础基板的顶表面上。第二微带具有输入端和输出端。耦合器包括至少一个过孔,其从单块基础基板的顶表面延伸穿过单块基础基板至底表面。过孔与第一微带或第二微带的输入端或输出端中的至少一个电连接。耦合器在约28GHz时的耦合因子大于约-30dB。

根据本发明的另一方面,公开了一种用于形成高频表面可安装耦合器的方法。该方法包括形成至少一个通透孔,其从单块基础基板的顶表面延伸至单块基础基板的底表面。该方法包括在单块基础基板的顶表面上沉积第一薄膜微带和第二薄膜微带中的每个。第一和第二薄膜微带中的每个的尺寸和间隔被确定为使得耦合器在约28GHz时的耦合因子大于-30dB。该方法包括在通透孔内沉积导电过孔材料,以形成将第一薄膜微带或第二薄膜微带中的至少一个与单块基础基板的底表面上的接触垫电连接的至少一个过孔。

根据本发明的另一方面,公开了一种高频表面可安装耦合器。耦合器包括单块基础基板,其具有顶表面、底表面、沿纵向方向的长度、沿与纵向方向垂直的横向方向的宽度以及沿与纵向方向和横向方向中的每个垂直的Z方向的厚度。耦合器包括第一薄膜微带,其设置在单块基础基板的顶表面上。第一微带具有输入端和输出端。第二薄膜微带设置在单块基础基板的顶表面上,第二微带具有输入端和输出端。第一薄膜微带的至少一部分和第二薄膜微带的至少一部分沿着耦合长度在第一方向上彼此平行地延伸,耦合长度在从约0.2mm到约3.8mm的范围内。

根据本发明的另一方面,公开了一种基站电路。该基站电路包括信号源部件和与信号源部件可操作地连接的高频表面可安装耦合器。耦合器包括单块基础基板,其具有顶表面、底表面、沿纵向方向的长度和沿与纵向方向垂直的横向方向的宽度。耦合器包括第一薄膜微带,其设置在单块基础基板的顶表面上。第一微带具有输入端和输出端。耦合器包括第二薄膜微带,其设置在单块基础基板的顶表面上。第二微带具有输入端和输出端。至少一个过孔从单块基础基板的顶表面延伸穿过单块基础基板至底表面。过孔与第一微带或第二微带的输入端或输出端中的至少一个电连接。耦合器在约28GHz时的耦合因子大于约-30dB。

附图说明

在本说明书中阐述了针对本领域普通技术人员的本发明的完整且可行的公开内容,包括其最佳模式,该说明书参考附图,其中:

图1A示出了根据本公开各方面的薄膜耦合器的一实施例的俯视图;

图1B示出了沿着图1A中的截面A-A的截面图;

图2A和2B示出了图1A和1B所示的薄膜耦合器的实施例的透视图;

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