[发明专利]背硅化可变电容器器件在审
| 申请号： | 201980026096.X | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111989782A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | S·格科特佩里;F·A·马里诺;N·卡尼克;P·V·科勒夫;梁晴晴;P·梅内戈里;F·卡罗博兰特;A·哈德吉克里斯托斯 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的某些方面提供了一种半导体器件。一个示例半导体器件，大体上包括半导体区域、绝缘层、第一端子、以及耦合到第一端子的第一非绝缘区域，该绝缘层设置在第一非绝缘区域与半导体区域之间。在某些方面中，绝缘层相邻于半导体区域的第一侧设置。在某些方面中，该半导体器件还包括第二端子和第一硅化物层，该第一硅化物层耦合到第二端子并且相邻于半导体区域的第二侧设置，该第一侧和第二侧是半导体区域的相对侧。 | ||
| 搜索关键词： | 背硅化 可变电容器 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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