[发明专利]背硅化可变电容器器件在审
| 申请号： | 201980026096.X | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111989782A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | S·格科特佩里;F·A·马里诺;N·卡尼克;P·V·科勒夫;梁晴晴;P·梅内戈里;F·卡罗博兰特;A·哈德吉克里斯托斯 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背硅化 可变电容器 器件 | ||
1.一种半导体可变电容器，包括：
半导体区域，具有第一区域、第二区域、以及第三区域，所述第三区域设置在所述第一区域与所述第二区域之间并且具有与所述第一区域或所述第二区域中的至少一个区域不同的掺杂类型或不同的掺杂浓度中的至少一个；
绝缘层；
第一端子；
第一非绝缘区域，耦合到所述第一端子，所述绝缘层设置在所述第一非绝缘区域与所述半导体区域之间，其中所述绝缘层相邻于所述半导体区域的第一侧设置；
第二端子；以及
第一硅化物层，耦合到所述第二端子并且相邻于所述半导体区域的第二侧设置，所述第一侧和所述第二侧是所述半导体区域的相对侧。
2.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，其中所述半导体可变电容器是变容二极管，其中所述第一端子是所述变容二极管的阳极，并且其中所述第二端子是所述变容二极管的阴极。
3.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，其中所述第一硅化物层相邻于所述第一区域设置。
4.根据权利要求3所述的半导体可变电容器，还包括：
第三端子；以及
第二硅化物层，耦合到所述第三端子并且相邻于所述半导体区域的所述第二侧设置。
5.根据权利要求4所述的半导体可变电容器，其中所述第二硅化物层相邻于所述第二区域设置。
6.根据权利要求3所述的半导体可变电容器，其中所述第一硅化物层也相邻于所述第三区域设置。
7.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，还包括：
第三端子；
第二硅化物层，连接到所述第三端子并且相邻于所述第一区域且相邻于所述半导体区域的所述第一侧设置；
第四端子；以及
第三硅化物层，连接到所述第四端子并且相邻于所述第二区域且相邻于所述半导体区域的所述第一侧设置，其中所述第一硅化物层相邻于所述第三区域设置。
8.根据权利要求7所述的半导体可变电容器，其中所述第一端子与所述第二端子之间的电容被配置为通过相对于所述第一端子或所述第二端子向所述第三端子或所述第四端子中的至少一个端子施加控制电压来被调整。
9.根据权利要求7所述的半导体可变电容器，还包括：
第一掩埋氧化物(BOX)区域，相邻于所述第一区域且相邻于所述半导体区域的所述第二侧设置；以及
第二BOX区域，相邻于所述第二区域且相邻于所述半导体区域的所述第二侧设置。
10.根据权利要求7所述的半导体可变电容器，其中所述第一区域和所述第二区域具有与所述第三区域不同的掺杂类型。
11.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，其中所述半导体区域包括单晶半导体。
12.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，还包括BOX区域，所述BOX区域相邻于所述半导体区域的所述第二侧设置。
13.一种半导体可变电容器，包括：
半导体区域；
绝缘层；
第一端子；
第一非绝缘区，耦合到所述第一端子，所述绝缘层设置在所述第一非绝缘区域与所述半导体区域的仅一部分之间，其中所述绝缘层相邻于所述半导体区的第一侧设置；
第二端子；以及
第一硅化物层，耦合到所述第二端子并且相邻于所述半导体区域的第二侧设置，所述第一侧和所述第二侧是所述半导体区域的相对侧。
14.根据权利要求13所述的半导体可变电容器，其中所述半导体可变电容器是变容二极管，其中所述第一端子是所述变容二极管的阳极，并且其中所述第二端子是所述变容二极管的阴极。
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