[发明专利]用于去除灰化后残留物和/或用于氧化蚀刻含TiN层料或掩模的含咪唑烷硫酮组合物

摘要

本发明描述了一种用于从半导体衬底的表面去除蚀刻后或灰化后残留物的清洁组合物和所述清洁组合物的相应用途。进一步描述了所述清洁组合物与一种或多种氧化剂结合例如用于优选在钨材料存在下氧化蚀刻或部分氧化蚀刻半导体衬底表面上的包含TiN或由TiN组成的层料或掩模和/或用于从半导体衬底的表面去除蚀刻后或灰化后残留物的用途。此外，描述了包含本发明的清洁组合物和一种或多种氧化剂的湿蚀刻组合物、所述湿蚀刻组合物用于优选在钨材料存在下氧化蚀刻或部分氧化蚀刻半导体衬底表面上的包含TiN或由TiN组成的层料或掩模和/或用于从半导体衬底的表面去除蚀刻后或灰化后残留物的用途、使用所述湿蚀刻组合物由半导体衬底制造半导体器件的方法和包含本发明的清洁组合物和一种或多种氧化剂的套装。还描述了咪唑烷硫酮在用于蚀刻或部分蚀刻半导体衬底表面上的层料或掩模和/或用于清洁半导体衬底的组合物中的用途。