[发明专利]用于去除灰化后残留物和/或用于氧化蚀刻含TiN层料或掩模的含咪唑烷硫酮组合物

权利要求书

1.一种用于从半导体衬底的表面去除蚀刻后或灰化后残留物的清洁组合物，其包含：

(A)一种或多种磺酸，其选自甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、丁磺酸、己磺酸、3-(N-吗啉基)丙磺酸、2-(N-吗啉基)乙磺酸、N-环己基-2-氨基乙磺酸、3-[4-(2-羟乙基)-1-哌嗪基]丙磺酸、N-环己基-3-氨基丙磺酸及其混合物；

(B)一种或多种极性、非给质子有机溶剂，其选自二甲基甲酰胺、二甲亚砜、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、碳酸亚丙酯、环丁砜、四氢呋喃及其混合物，

(C)一种或多种二醇醚，其选自1,1-二甲氧基乙烷、1-甲氧基-2-丁醇、2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇、2-(萘-6-氧基)聚乙氧基乙醇、2-(己氧基)乙醇、2-甲氧基-1-丁醇、2-甲氧基-2-甲基丁醇、丁基二甘醇、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇单苄基醚、二乙二醇单丁基醚、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇单异丁基醚、二乙二醇单异丙基醚、二乙二醇单甲基醚、二乙二醇单丙基醚、二丙二醇二异丙基醚、二丙二醇单异丙基醚、二丙二醇单甲基醚、二丙二醇单丙基醚、二丙二醇单丁基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚乙酸酯、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基醚、单丙基醚、聚乙二醇单甲基醚、丙二醇二甲基醚、丙二醇单丁基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇、四氢糠醇、三乙二醇二甲基醚、三乙二醇乙二醇单甲基醚乙酸酯、三乙二醇单甲基醚、三丙二醇单甲基醚及其混合物，

(D)一种或多种咪唑烷硫酮，

和

(E)水。

2.根据权利要求1的清洁组合物，其中

-所述或至少一种磺酸(A)为甲磺酸，

和/或

-所述一种或多种磺酸(A)，优选甲磺酸的总量在基于清洁组合物的总重量计0.01重量％至10重量％，优选0.05重量％至5重量％，更优选0.1重量％至1重量％的范围内。

3.根据权利要求1或2的清洁组合物，其中

-所述或至少一种极性、非给质子有机溶剂(B)为环丁砜，

和/或

-所述一种或多种极性、非给质子有机溶剂(B)，优选环丁砜的总量在基于清洁组合物的总重量计1重量％至25重量％，优选2.5重量％至25重量％，更优选5重量％至15重量％的范围内。

4.根据前述权利要求中任一项的清洁组合物，其中

-所述或至少一种二醇醚(C)为丁基二甘醇，

和/或

-所述一种或多种二醇醚(C)，优选丁基二甘醇的总量在基于清洁组合物的总重量计10重量％至50重量％，优选15重量％至45重量％，更优选20重量％至40重量％的范围内。

5.根据前述权利要求中任一项的清洁组合物，其中

-所述或至少一种咪唑烷硫酮(D)为2-咪唑烷硫酮，

和/或

-所述一种或多种咪唑烷硫酮(D)，优选2-咪唑烷硫酮的总量在基于清洁组合物的总重量计0.05重量％至10重量％，优选0.1重量％至5重量％，更优选0.5重量％至2重量％的范围内。

6.根据前述权利要求中任一项的清洁组合物，其包含

(A)甲磺酸，优选以基于清洁组合物的总重量计0.01重量％至10重量％，优选0.05重量％至5重量％，更优选0.1重量％至1重量％的总量，

(B)环丁砜，优选以基于清洁组合物的总重量计1重量％至25重量％，优选2.5重量％至25重量％，更优选5重量％至15重量％的总量，

(C)丁基二甘醇，优选以基于清洁组合物的总重量计10重量％至50重量％，优选15重量％至45重量％，更优选20重量％至40重量％的总量，

(D)2-咪唑烷硫酮，优选以基于清洁组合物的总重量计0.05重量％至10重量％，优选0.1重量％至5重量％，更优选0.5重量％至2重量％的总量，

和

(E)水，优选在每种情况下补充到总共100重量％的清洁组合物。