[发明专利]制造用于射频器件的衬底的工艺在审
| 申请号： | 201980022402.2 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111919285A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | D·贝拉什米;T·巴尔热 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L41/08 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造用于射频器件的衬底(7)的工艺，其通过借助于电绝缘层将压电层(3)组装在载体衬底(1)上来制造用于射频器件的衬底(7)，所述压电层(3)在与电绝缘层的界面处具有粗糙的表面(30)，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：‑提供压电衬底(3)，其具有用于反射射频波的粗糙表面(30)，‑在压电衬底(3)的粗糙表面(30)上沉积介电层(4)，‑提供载体衬底(1)，‑在载体衬底上沉积光聚合性粘合剂层(2)，‑借助于介电层(4)和粘合剂层(2)将压电衬底(3)粘接至载体衬底(1)，从而形成组装的衬底(5)，‑用光束(6)照射组装的衬底(5)以使粘合剂层(2)聚合，所述粘合剂层(2)和介电层(4)一起形成电绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 射频 器件 衬底 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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