[发明专利]制造用于射频器件的衬底的工艺在审
申请号: | 201980022402.2 | 申请日: | 2019-03-26 |
公开(公告)号: | CN111919285A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | D·贝拉什米;T·巴尔热 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L41/08 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 用于 射频 器件 衬底 工艺 | ||
本发明涉及一种制造用于射频器件的衬底(7)的工艺,其通过借助于电绝缘层将压电层(3)组装在载体衬底(1)上来制造用于射频器件的衬底(7),所述压电层(3)在与电绝缘层的界面处具有粗糙的表面(30),其特征在于,所述工艺包括以下步骤:‑提供压电衬底(3),其具有用于反射射频波的粗糙表面(30),‑在压电衬底(3)的粗糙表面(30)上沉积介电层(4),‑提供载体衬底(1),‑在载体衬底上沉积光聚合性粘合剂层(2),‑借助于介电层(4)和粘合剂层(2)将压电衬底(3)粘接至载体衬底(1),从而形成组装的衬底(5),‑用光束(6)照射组装的衬底(5)以使粘合剂层(2)聚合,所述粘合剂层(2)和介电层(4)一起形成电绝缘层。
技术领域
本发明涉及一种制造用于射频器件的衬底的工艺。
背景技术
已知的做法是在衬底上制造射频(RF)器件(例如谐振器或滤波器),所述衬底从其底部至其表面依次包括通常由半导体材料(例如硅)制成的载体衬底、电绝缘层和压电层。
表面声波(SAW)滤波器通常包括厚的压电层(即,厚度通常为几十μm)和两个电极,所述两个电极以两个叉指金属梳的形式沉积在所述压电层的表面上。施加至电极的电信号(通常为电压变化)被转换为在压电层的表面传播的弹性波。如果波的频率与滤波器的频带相对应,则会促进该弹性波的传播。当该波到达另一个电极时,它再次被转换为电信号。
然而,存在波的寄生传播模式,所述波在压电层的厚度中延伸,并且易于在与下面载体衬底的界面处被反射。此效果称为“揺响(rattle)”。
为了避免这些寄生模式,已知的做法是使位于与电绝缘层的界面处的压电层的表面足够粗糙,以允许寄生波在所有方向上反射(散射效应),并防止其传送至衬底中。
考虑到所涉及的波长,压电层表面的粗糙度非常高,约为几微米。
制造衬底需要将压电层的粗糙表面结合至载体衬底,所述压电层的粗糙表面可选地覆盖有电绝缘层。
然而,尽管有这样的粗糙度,为了确保压电层与载体衬底之间的良好粘合,当前的工艺需要大量的连续步骤,这使该工艺冗长且昂贵。
因此,一种工艺可以包括以下步骤:
-通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD),在压电层的粗糙表面上沉积氧化硅(SiO2)层,厚度约为2μm,
-在压电层的与粗糙表面相反的表面上沉积第一层SiO2,厚度约为0.5μm,
-对沉积在粗糙表面上的SiO2层进行第一次化学机械抛光(CMP);然而,该抛光之后所获得的粗糙度仍然过高而无法获得高质量的结合,
-在压电层的与粗糙表面相反的表面上沉积第二层SiO2,厚度约为0.5μm,
-对沉积在粗糙表面上的SiO2层进行第二次化学机械抛光(CMP),直到获得足够的粗糙度以使得覆盖有SiO2层的压电层与载体衬底具有高质量的结合,所述载体衬底自身覆盖有需要机械化学抛光(CMP)的SiO2层。
除了在载体衬底和压电层上实施上述步骤所产生的成本之外,该工艺还具有衬底产生明显曲度或弯曲的缺点,该弯曲是由于SiO2层在压电衬底上的沉积在高温下进行而造成的。该弯曲破坏了随后在衬底上进行的制造滤波器的操作,该操作意图在平坦的衬底上进行。
发明内容
本发明的一个目的是弥补上述缺点,特别是提供一种制造用于射频器件的衬底的工艺,所述工艺与现有技术的工艺相比具有较低的成本和/或较小的弯曲。
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