[发明专利]太赫兹近场成像装置有效
| 申请号： | 201980022256.3 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN112119289B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | H·雪莉 | 申请（专利权）人： | 蒂希韦 |
| 主分类号： | G01J1/08 | 分类号： | G01J1/08;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 雷明;吴鹏 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于太赫兹成像系统的传感器，所述传感器包括太赫兹辐射接收器(18)的阵列；以及太赫兹辐射发射器(10)的阵列，其具有所述接收器阵列的间距相同的间距，设置在所述接收器的阵列与位于所述发射器的近场中的分析区域(12)之间，并且被配置为使得每个发射器向所述分析区域和所述接收器阵列的相应接收器两者发射波。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 近场 成像 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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