[发明专利]太赫兹近场成像装置

权利要求书

1.一种用于近场太赫兹成像系统的传感器，该传感器包括：

半导体材料的平面的第一基材，其具有有源面，在所述有源面上以半导体技术实现太赫兹辐射发射器的阵列；以及

与第一基材不同的平面的第二基材，其由半导体材料制成并且具有有源面，在所述有源面上以半导体技术实现太赫兹辐射接收器的阵列，其中，每个接收器位于第一基材的相应发射器的近场中，

其中，这些阵列的间距为这些基材内的辐射的波长的至少一半，每个基材的厚度为该基材内的辐射的波长的至多一半。

2.根据权利要求1所述的传感器，包括控制电路，其被配置为按顺序激活每个发射器及其相应的接收器。

3.根据权利要求1所述的传感器，其中，第一基材的有源面面对待分析区域，并且所述第一基材的背面面对所述第二基材。

4.根据权利要求3所述的传感器，其中，所述第二基材的所述有源面背对所述第一基材，并且所述第二基材的背面面对所述第一基材。

5.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述第一基材和所述第二基材通过具有比这些基材低的折射率的层彼此分开。

6.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述接收器和所述发射器具有六边形构型，并且以蜂窝矩阵布置。

7.根据权利要求6所述的传感器，其中，每个接收器和发射器均包括：

形成在有源面的金属层级上的环形天线，所述天线的平均周长是基材内的太赫兹辐射的波长的至少一半；以及

在接收器或发射器的外围处围绕所述天线的保护环，其由堆叠在数个金属层级中的金属图案形成。

8.根据权利要求7所述的传感器，其中，所述保护环包括这样的金属图案，该金属图案被构造为形成空腔，所述空腔容纳用于运行所述接收器和发射器的导体引线和电子部件。