[发明专利]半导体装置用Cu合金接合线有效
| 申请号： | 201980020738.5 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN111886685B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 小山田哲哉;宇野智裕;山田隆;小田大造 | 申请（专利权）人： | 日铁化学材料株式会社;日铁新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C9/00;C22C9/06 |
| 代理公司： | 北京天达共和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11586 | 代理人： | 张嵩;薛仑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够满足高密度LSI用途下的要求性能的半导体装置用Cu合金接合线。本发明的半导体装置用Cu合金接合线的特征在于，线表面的晶体取向中的、相对于与包含线中心轴的1个平面垂直的方向角度差为15度以下的＜100＞晶体取向、＜110＞晶体取向、＜111＞晶体取向的存在比率以平均面积率计分别为3％以上且小于27％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 cu 合金 接合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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