[发明专利]半导体装置用Cu合金接合线有效
| 申请号： | 201980020738.5 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN111886685B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 小山田哲哉;宇野智裕;山田隆;小田大造 | 申请（专利权）人： | 日铁化学材料株式会社;日铁新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C9/00;C22C9/06 |
| 代理公司： | 北京天达共和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11586 | 代理人： | 张嵩;薛仑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 cu 合金 接合 | ||
1.一种半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，
线表面的晶体取向中的、相对于与包含线中心轴的1个平面垂直的方向的角度差为15度以下的＜100＞晶体取向、＜110＞晶体取向、＜111＞晶体取向的存在比率以平均面积率计分别为3％以上且小于27％。
2.如权利要求1所述的半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，
所述线表面的晶体取向中的、相对于与包含线中心轴的1个平面垂直的方向的角度差为15度以下的所述＜100＞晶体取向、所述＜110＞晶体取向、所述＜111＞晶体取向的合计存在比率以平均面积率计为15％以上且小于50％。
3.如权利要求2所述的半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，
在将所述线表面的晶体取向中的、相对于与包含线中心轴的1个平面垂直的方向的角度差为15度以下的所述＜100＞晶体取向的存在比率记为X，将所述＜110＞晶体取向的存在比率记为Y，将所述＜111＞晶体取向的存在比率记为Z时，X+Y＞Z。
4.如权利要求3所述的半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，
所述线表面的晶体取向中的、相对于与包含线中心轴的1个平面垂直的方向的角度差为15度以下的＜121＞晶体取向、＜123＞晶体取向的存在比率以平均面积率计分别小于15％。
5.如权利要求1～4的任何一项所述的半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，
垂直于线中心轴的截面中的平均晶体粒径为0.4μm以上2.1μm以下。
6.如权利要求1～4的任何一项所述的半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，
平行于线中心轴的方向的截面中的晶体取向中的、相对于线中心轴的角度差为15度以下的＜111＞晶体取向与＜100＞晶体取向的合计存在比率以平均面积率计为25％以上且小于60％。
7.如权利要求1～4的任何一项所述的半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，
包含Ni、Pd、Pt、Au中的1种以上总计为0.01质量％以上1.5质量％以下，剩余部分为Cu及不可避免的杂质。
8.如权利要求1～4的任何一项所述的半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，
包含P、In、Ga、Ge、Ag中的1种以上总计为0.001质量％以上0.75质量％以下，剩余部分为Cu及不可避免的杂质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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