[发明专利]基板处理装置、气体喷嘴及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980018938.7 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111868897A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 竹林雄二;小川云龙;藤野敏树;羽田幸人;角田奈绪子 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 范胜杰;赵子翔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置、气体喷嘴及半导体装置的制造方法，在从原料气体喷嘴向收纳基板的反应管内供给原料气体的情况下，抑制或防止原料气体喷嘴内被加热到基板处理温度。提供一种技术，具有：反应管，其由第一构件构成，并收纳基板；以及原料气体喷嘴，其设置在反应管内，至少一部分由第二构件构成，并向反应管内供给原料气体，第二构件的反射率比第一构件高，且因内部所含的气泡而具有比第一构件粗糙的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 气体 喷嘴 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
