[发明专利]基板处理装置、气体喷嘴及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置、气体喷嘴及半导体装置的制造方法，在从原料气体喷嘴向收纳基板的反应管内供给原料气体的情况下，抑制或防止原料气体喷嘴内被加热到基板处理温度。提供一种技术，具有：反应管，其由第一构件构成，并收纳基板；以及原料气体喷嘴，其设置在反应管内，至少一部分由第二构件构成，并向反应管内供给原料气体，第二构件的反射率比第一构件高，且因内部所含的气泡而具有比第一构件粗糙的表面。

技术领域

本公开涉及基板处理装置、气体喷嘴和半导体装置的制造方法。

背景技术

在对基板进行处理并进行成膜时，有时从原料气体喷嘴向收纳基板的反应管内供给原料气体(例如参照日本特开2017-147262(专利文献1))。在从原料气体喷嘴向收纳基板的反应管内供给原料气体的情况下，有时原料气体喷嘴内也被加热到基板处理温度而在原料气体喷嘴内产生异物，成为阻碍基板处理装置的稳定运转的主要原因。

发明内容

发明要解决的问题

本公开的主要目的是提供一种能够抑制或防止原料气体喷嘴内被加热到基板处理温度的技术。

解决方案

根据本公开的一个方式，提供如下的一种技术，具有：反应管，其由第一构件构成，并收纳基板；以及原料气体喷嘴，其设置在所述反应管内，至少一部分由第二构件构成，并向所述反应管内供给原料气体，所述第二构件的反射率比所述第一构件高，且所述第二构件因内部所含的气泡而具有比所述第一构件粗糙的表面。

发明效果

根据本公开，能够抑制或防止原料气体喷嘴内被加热到基板处理温度。

附图说明

图1是用于说明在本公开的优选实施方式中用于在基板上成膜的基板处理装置的概要纵向剖视图。

图2是图1的A-A线概要横剖视图。

图3是用于说明在本公开的优选实施方式的基板处理装置中使用的原料气体喷嘴和原料气体喷嘴内温度的图。

图4是用于说明在本公开的优选实施方式的基板处理装置中使用的原料气体喷嘴内的气体的流动的概要纵向剖视图。

图5是用于说明在本公开的优选实施方式的基板处理装置中使用的原料气体喷嘴的概要纵向剖视图。

图6是用于说明本公开的优选实施方式的基板处理装置的控制器的概要图。

图7是用于说明本公开的优选实施方式的优选成膜处理流程的流程图。

图8是用于说明本公开的优选实施方式中的原料气体喷嘴和反应气体喷嘴的气体的流动的图。

图9是用于说明在用于比较的基板处理装置中使用的原料气体喷嘴和原料气体喷嘴内温度的图。

具体实施方式

接下来，将说明本公开的优选实施方式。

近年来，随着半导体器件的高密度化，对于形成半导体器件的薄膜也有多种多样的要求。例如，即使想要通过硅氧化膜(SiO膜)形成1.6nm厚度的膜但因电的制约较为困难，但是，如果是高介电常数膜的铪氧化膜(HfO膜)，则在4.5nm的厚度下可以得到以SiO换算与SiO同等的电容。