[发明专利]半导体光集成元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201980017585.9 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111819743B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 进藤隆彦;藤原直树;佐野公一;石井启之;松崎秀昭;山田贵;堀越建吾 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/026;H01S5/12;H01S5/227;H01S5/50 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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