[发明专利]半导体光集成元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体光集成元件，DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，在光出射方向上，所述半导体光集成元件按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置，所述半导体光集成元件的特征在于，

形成多个所述半导体光集成元件使光轴方向一致地沿与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条，

所述半导体条的所述各半导体光集成元件具有将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部，

所述连接布线部跨越在所述半导体条中半导体光集成元件与邻接的半导体光集成元件的边界线而形成。

2.根据权利要求1所述的半导体光集成元件，其特征在于，

所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA由一并形成的台面条带构造形成，

所述台面条带构造的侧壁形成为具有被一并生长的p型和n型的半导体层掩埋的掩埋异质构造。

3.根据权利要求1或2所述的半导体光集成元件，其特征在于，

所述SOA的长度形成为150μm以上。

4.一种半导体光集成元件的制造方法，其特征在于，由以下步骤构成：

DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；

以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件沿与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；

在所述半导体条的状态下检查所述各半导体光集成元件的步骤；以及

在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线切断所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将所述SOA与所述DFB激光器电分离的步骤，

在形成所述半导体晶片的步骤中，在所述各半导体光集成元件中形成跨越与邻接的半导体光集成元件的边界线而将所述SOA与所述DFB激光器电连接的连接布线部。

5.根据权利要求4所述的半导体光集成元件的制造方法，其特征在于，

在所述检查的步骤中，经由所述连接布线部，同时对所述SOA和所述DFB激光器进行通电驱动来进行检查。