[发明专利]硅熔液的对流模式推测方法、单晶硅的氧浓度推测方法、单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置有效
| 申请号： | 201980015951.7 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN112074627B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 杉村涉;横山龙介;藤原俊幸;小野敏昭 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种硅熔液的对流模式推测方法，其具备：对旋转中的石英坩埚内的硅熔液，使用夹住石英坩埚配置的一对磁性体，施加强度0.2T以上的水平磁场的工序；在籽晶接触施加水平磁场的硅熔液前，测量硅熔液的表面中的在从铅垂上方观察时位于通过表面中心且与水平磁场的中心磁力线不平行的第1虚线上的第1测量点及第2测量点的温度，以及根据所测量的第1测量点及第2测量点的温度，推测硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 硅熔液 对流 模式 推测 方法 单晶硅 浓度 制造 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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