[发明专利]硅熔液的对流模式推测方法、单晶硅的氧浓度推测方法、单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置

说明书

一种硅熔液的对流模式推测方法，其具备：对旋转中的石英坩埚内的硅熔液，使用夹住石英坩埚配置的一对磁性体，施加强度0.2T以上的水平磁场的工序；在籽晶接触施加水平磁场的硅熔液前，测量硅熔液的表面中的在从铅垂上方观察时位于通过表面中心且与水平磁场的中心磁力线不平行的第1虚线上的第1测量点及第2测量点的温度，以及根据所测量的第1测量点及第2测量点的温度，推测硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向的工序。

技术领域

本发明涉及一种硅熔液的对流模式推测方法、单晶硅的氧浓度推测方法、单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置。

背景技术

单晶硅的制造中使用被称为提拉法(以下，称为CZ法)的方法。在使用这种CZ法的制造方法中，实施通过准确地测量硅熔液的表面温度，提高单晶硅的品质的步骤(例如，参考专利文献1～3)。

在专利文献1中公开了如下内容：在籽晶接触液体前，通过高准确度地测量硅熔液的表面温度，制造没有发生位错的单晶硅。

在专利文献2中公开了如下内容：通过设置去除来自坩埚的壁面或加热器等的辐射光(杂散光)的杂散光去除板，在单晶硅的生长中，能够高准确度地测量消除杂散光影响的硅熔液的表面温度。

在专利文献3中公开了如下内容：通过设置测量根据硅熔液的辐射光与在硅熔液的表面反射的杂散光的温度的辐射温度计以及测量根据杂散光的温度的2色辐射温度计，在单晶硅的生长中，能够高准确度地测量消除了杂散光的影响的硅熔液的表面温度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开第2012-148938号公报

专利文献2：日本特开平9-263486号公报

专利文献3：日本特开平6-129911号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

作为单晶硅的制造方法，已知有对硅熔液施加水平方向的磁场的MCZ(磁场施加提拉法)法。

MCZ法中，虽然也可考虑使用如专利文献1～3的方法来提高单晶硅的品质，但产生了有时不会成为所期望的氧浓度之类的其他问题。

本发明的目的在于提供一种在提拉前能够适当地推测单晶硅的氧浓度的硅熔液的对流模式推测方法、单晶硅的氧浓度推测方法、单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置。

用于解决技术问题的方案

本发明的硅熔液的对流模式推测方法，是使用于单晶硅的制造中的硅熔液的对流模式推测方法，其特征在于具备如下工序：对旋转中的石英坩埚内的硅熔液施加强度0.2T以上的水平磁场；在籽晶接触施加所述水平磁场的硅熔液前，测量所述硅熔液的表面中的在从铅垂上方观察时位于通过所述表面中心且与所述水平磁场的中心磁力线不平行的第1虚线上的第1测量点及第2测量点的温度；以及根据所测量的所述第1测量点及所述第2测量点的温度，推测所述硅熔液内的与所述水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向。