[发明专利]含硅层形成组合物和使用其制造带图案的基板的方法在审
| 申请号： | 201980015743.7 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111801621A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 中辻惇也;山中一广 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08G77/24;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种含硅层形成组合物，其用于形成在多层抗蚀法中的曝光时具有防反射功能，在干蚀刻时对于氟系气体的等离子体的蚀刻速度快且对于氧系气体的等离子体的蚀刻速度慢的含硅层。一种含硅层形成组合物，其包含：含有式(1)所示结构单元的聚硅氧烷化合物(A)以及溶剂(B)。[(R |
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| 搜索关键词： | 含硅层 形成 组合 使用 制造 图案 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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