[发明专利]含硅层形成组合物和使用其制造带图案的基板的方法

权利要求书

1.一种含硅层形成组合物，其用于作为多层膜的中间层而形成含硅层，所述多层膜形成在基板上，且包含：含有式(1)所示结构单元的聚硅氧烷化合物(A)以及溶剂(B)，

[(R¹)_bR²_mSiO_n/2] (1)

式(1)中，R¹为下式所示的基团，

a为1～5的整数，波浪线表示交叉的线段为结合键；

R²各自独立地为氢原子、碳原子数1以上且3以下的烷基、苯基、羟基、碳原子数1以上且3以下的烷氧基、或者碳原子数1以上且3以下的氟烷基；b为1～3的整数；m为0～2的整数；n为1～3的整数；b+m+n＝4。

2.根据权利要求1所述的含硅层形成组合物，其中，a为1或2。

3.根据权利要求1或根据权利要求2所述的含硅层形成组合物，其中，R¹为下述的任一者：

波浪线表示交叉的线段为结合键。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的含硅层形成组合物，其中，b为1。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的含硅层形成组合物，其中，n为1～3。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的含硅层形成组合物，其中，聚硅氧烷化合物(A)还包含式(2)所示的结构单元，

[Si(R⁴)_pO_q/2] (2)

式(2)中，R⁴相互独立地为氢原子、碳原子数1以上且3以下的烷基、苯基、碳原子数1以上且3以下的烷氧基、或者碳原子数1以上且3以下的氟烷基；p为0～3的整数；q为1～4的整数；p+q＝4。

7.一种基板，其中，在基板上具有由有机层、有机层上的使用权利要求1～6中任一项所述的含硅层形成组合物的固化物得到的含硅中间层和该含硅中间层上的表面的抗蚀层构成的三层膜。

8.一种带图案的基板的制造方法，其包括：

对于权利要求7所述的基板，隔着光掩模用高能量射线对抗蚀层进行曝光后，用碱水溶液对抗蚀层进行显影而得到图案的第一工序；

隔着抗蚀层的图案，进行含硅中间层的干蚀刻，使含硅中间层得到图案的第二工序；

隔着含硅中间层的图案，进行有机层的干蚀刻，使有机层得到图案的第三工序；以及

隔着有机层的图案，进行基板的干蚀刻，使基板得到图案的第四工序。

9.根据权利要求8所述的带图案的基板的制造方法，其中，

在第二工序中，利用氟系气体进行含硅中间层的干蚀刻，

在第三工序中，利用氧系气体进行有机层的干蚀刻，

在第四工序中，利用氟系气体或氯系气体进行基板的干蚀刻。

10.根据权利要求8所述的带图案的基板的形成方法，其中，高能量射线是波长为10nm以上且400nm以下的紫外线。