[发明专利]用于控制存储器单元中的源极区形成的浮栅间隔部有效
| 申请号： | 201980012754.X | 申请日： | 2019-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111712900B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | J·沃尔斯;M·海玛斯;S·卡比尔 | 申请（专利权）人： | 微芯片技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/788;H10B41/35 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于形成集成电路存储器单元(例如，闪存存储器单元)的方法。一对间隔开的浮栅结构可在衬底上方形成。非共形间隔层可在该结构上方形成，并且可包括与浮栅侧壁横向相邻的间隔部侧壁区。可例如经由HVII执行源极注入，以在衬底中限定源极注入区。间隔部侧壁区基本上防止源极注入材料的渗透，使得源极注入区通过间隔部侧壁区自对准。源极注入材料横向地扩散以部分地在浮栅下方延伸。使用包括间隔部侧壁区的非共形间隔层可(a)保护浮栅的上角部或“尖端”免于圆化，并且(b)提供对每个浮栅下方的源极结边缘位置的横向控制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 存储器 单元 中的 源极区 形成 间隔 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微芯片技术股份有限公司，未经微芯片技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980012754.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
