[发明专利]用于控制存储器单元中的源极区形成的浮栅间隔部

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的存储器单元的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成浮栅结构；

在所述浮栅结构上方形成氧化物区，其中所述氧化物区的形成形成所述浮栅结构的向上指向的浮栅尖端区；

形成非共形间隔层，所述非共形间隔层包括间隔部侧壁区，所述间隔部侧壁区与所述浮栅结构的侧壁横向相邻并且在所述向上指向的浮栅尖端区上方延伸并覆盖所述向上指向的浮栅尖端区，以使得垂直面穿过所述间隔部侧壁区和所述浮栅尖端区；以及

执行到所述衬底中的源极注入，其中所述间隔部侧壁区基本上防止源极注入材料穿透所述间隔部侧壁区，从而在所述衬底中限定自对准源极注入区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成非共形间隔层包括：

在所述浮栅结构上方以及在所述衬底的与所述浮栅结构横向相邻的区域上方沉积第一间隔层；以及

蚀刻所述第一间隔层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中蚀刻所述第一间隔层：

(a)限定与所述浮栅结构的所述侧壁横向相邻的所述间隔部侧壁区，并且

(b)移除在所述衬底的与所述间隔部侧壁区横向相邻的区域上方的所述第一间隔层的整个厚度。

4.根据权利要求2所述的方法，其中蚀刻所述第一间隔层

(a)限定与所述浮栅结构的所述侧壁横向相邻的所述间隔部侧壁区，并且

(b)部分地移除在所述衬底的与所述间隔部侧壁区横向相邻的区域上方所述第一间隔层的厚度，以限定与所述间隔部侧壁区横向相邻的厚度减小的间隔层区。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所沉积的第一间隔层具有至少或至少或介于至之间、或介于至之间、或介于至之间的厚度。

6.根据权利要求2所述的方法，其中由所述蚀刻限定的所述间隔部侧壁区在所述间隔部侧壁区的底部处具有介于至之间、或介于至之间、或介于至之间的横向宽度。

7.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述第一间隔层以间隔层厚度沉积；并且

由所述蚀刻限定的间隔部侧壁区在所述间隔部侧壁区的底部处具有小于所述间隔层厚度、或小于所述间隔层厚度的80％、或小于所述间隔层厚度的65％、或小于所述间隔层厚度的50％、或介于所述间隔层厚度的25％至80％之间、或介于所述间隔层厚度的40％至65％之间的横向宽度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中注入到所述衬底中的所述源极注入材料在所述浮栅结构的一部分下方横向地扩散。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述非共形间隔层包括氮化物。

10.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述衬底上方形成第一浮栅结构和第二浮栅结构；

在所述第一浮栅结构上方形成第一氧化物区并在所述第二浮栅结构上方形成第二氧化物区，其中所述第一氧化物区和所述第二氧化物区的形成形成所述第一浮栅结构的第一向上指向的浮栅尖端区以及所述第二浮栅结构的第二向上指向的浮栅尖端区,

其中所述非共形间隔层包括：

第一间隔部侧壁区，所述第一间隔部侧壁区与所述第一浮栅结构的面向所述第二浮栅结构的第一侧壁横向相邻并且在所述第一向上指向的浮栅尖端区上方延伸并覆盖所述第一向上指向的浮栅尖端区，以使得第一垂直面穿过所述间隔部侧壁区和所述第一向上指向的浮栅尖端区；以及

第二间隔部侧壁区，所述第二间隔部侧壁区与所述第二浮栅结构的面向所述第一浮栅结构的第二侧壁横向相邻并且在所述第二向上指向的浮栅尖端区上方延伸并覆盖所述第二向上指向的浮栅尖端区，以使得第二垂直面穿过所述间隔部侧壁区和所述第二向上指向的浮栅尖端区；以及

执行到所述衬底中的源极注入，其中所述第一间隔部侧壁区和所述第二间隔部侧壁区基本上防止源极注入材料穿透所述第一间隔部侧壁区和所述第二间隔部侧壁区，从而在所述衬底中横向地限定了介于所述第一浮栅结构和所述第二浮栅结构之间的自对准源极注入区。