[发明专利]抛光半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201980011767.5 | 申请日： | 2019-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111683792B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | A·海尔迈尔;V·杜奇克;L·米斯图尔;T·奥尔布里希;D·迈尔;V·吴 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B24B37/08 | 分类号： | B24B37/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种抛光半导体晶片的方法，该半导体晶片在分别覆盖有抛光垫(21、22)的上抛光板(11)和下抛光板(12)之间的正面和背面的两面上被同时抛光，其中抛光间隙(x |
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| 搜索关键词： | 抛光 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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