[发明专利]抛光半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种抛光半导体晶片的方法，所述半导体晶片在分别覆盖有抛光垫(21、22)的上抛光板(11)和下抛光板(12)之间的正面和背面的两面上被同时使用抛光剂浆液抛光，其中抛光间隙(x₁+x₂)在抛光方法期间其尺寸分阶段变化或连续可变，所述抛光间隙对应于在所述抛光垫(21、22)的内边缘(B)处和外边缘(A)处与所述半导体晶片接触的上抛光垫(21)和下抛光垫(22)的那些表面之间的各距离之差。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括两阶段方法，其中该方法开始时的第一阶段具有较大的抛光间隙(x₁+x₂)，并且该方法结束时的第二阶段具有较小的抛光间隙(x₁+x₂)。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其包括多阶段方法，其中所述抛光间隙(x₁+x₂)在其尺寸上分阶段减小。

4.根据权利要求1所述的方法，包括至少两个抛光步骤，其中第二抛光步骤中的所述抛光间隙(x₁+x₂)是第一抛光步骤中的所述抛光间隙(x₁+x₂)的25％至75％。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述抛光间隙(x₁+x₂)在尺寸上连续可变地减小。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在第一抛光步骤中，所述抛光间隙(x₁+x₂)在尺寸上连续可变地减小，然后结束所述抛光间隙(x₁+x₂)的减小，并且所述抛光间隙(x₁+x₂)随后保持恒定直到第一抛光步骤结束。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在抛光方法开始时，以等于0或几乎为0的平行或几乎平行的抛光间隙(x₁+x₂)开始，以便然后将所述抛光间隙(x₁+x₂)增大至特定尺寸，并随后在其尺寸上分阶段或连续可变地减小所述抛光间隙。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其包括多个抛光步骤，其中最后的抛光步骤具有最小的抛光间隙(x₁+x₂)，并且占总抛光时间的至少10％。

9.根据权利要求8所述的方法，其中最后的抛光步骤中的所述抛光间隙(x₁+x₂)为50-110μm。

10.根据权利要求8所述的方法，其中最后的抛光步骤中的抛光压力为110-150g/cm²。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述抛光方法期间，抛光压力在其大小上分阶段或连续可变地变化。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其包括多个抛光步骤，其中在占总抛光时间最多90％的至少一个抛光步骤期间以130-220μm的抛光间隙(x₁+x₂)进行所述方法。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述至少一个抛光步骤中的抛光压力为150-200g/cm²。

14.根据权利要求1或2所述的方法，其包括至少两个抛光步骤，其中至少一个抛光步骤的持续时间是可变的。