[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201980008940.6 申请日: 2019-01-10
公开(公告)号: CN111684607A 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 木本恒畅;小林拓真;中野佑纪;明田正俊 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/205;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/739
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 陈彦;张默
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置包括:具有1.0×1022cm‑3以上的碳密度的SiC半导体层,形成于前述SiC半导体层上、且具有与前述SiC半导体层相接的连接面和位于前述连接面相反侧的非连接面的SiO2层,形成于前述SiO2层的前述连接面的表层部、且碳密度朝向前述SiO2层的前述非连接面递减的碳密度递减区域,以及形成于前述SiO2层的前述非连接面的表层部、且具有1.0×1019cm‑3以下的碳密度的低碳密度区域。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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