[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201980008940.6 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111684607A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 木本恒畅;小林拓真;中野佑纪;明田正俊 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/205;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;张默 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
半导体装置包括：具有1.0×1022cm‑3以上的碳密度的SiC半导体层，形成于前述SiC半导体层上、且具有与前述SiC半导体层相接的连接面和位于前述连接面相反侧的非连接面的SiO2层，形成于前述SiO2层的前述连接面的表层部、且碳密度朝向前述SiO2层的前述非连接面递减的碳密度递减区域，以及形成于前述SiO2层的前述非连接面的表层部、且具有1.0×1019cm‑3以下的碳密度的低碳密度区域。
技术领域
本发明涉及具有在SiC半导体层上形成有SiO2层的结构的半导体装置及其制造方法。
背景技术
在SiC半导体层上形成有SiO2层的结构中，已知SiC半导体层中与SiO2层相接的界面区域的界面态密度增加的问题。界面态密度增加的原因是多种多样的，作为其主要原因之一，可以例示SiC半导体层与SiO2层之间的界面区域的界面缺陷。界面缺陷可以由于存在于界面区域的碳原子而形成。
界面态密度与沟道迁移率(也被称为载流子迁移率。)之间具有相关关系。更具体地，界面态密度的增加引起沟道迁移率的下降。专利文献1和专利文献2公开了改善界面态密度的方法的一例。
专利文献1公开了一种半导体装置的制造方法，包括在SiC半导体基板上形成SiO2层的工序和在含有Ar(氩)的非活性气体气氛中对SiO2层实施热处理的工序。
专利文献2公开了一种半导体装置的制造方法，包括在SiC半导体基板上形成SiO2层的工序和在含有POCl3(磷酰氯)的气氛中对SiO2层实施热处理、在SiO2层中添加磷的工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-345320号公报
专利文献2：国际公开第2011/074237A1号
发明内容
发明所要解决的课题
专利文献1的制造方法中，能够使碳原子从SiC半导体层中与SiO2层相接的界面区域脱离。由此能够减少界面缺陷。但在这种情况下，SiO2层内残留有碳原子，因而无法获得满意的绝缘特性。
专利文献2的制造方法中，能够使SiO2层内的碳原子与气氛中的氧原子反应。由此能够将SiO2层内的碳原子除去，因而能够减少界面缺陷。但在这种情况下，添加于SiO2层的P(磷)作为电荷陷阱发挥功能，因此存在引起SiO2层的经时劣化的担忧。
本发明的一个实施方式提供能够减少SiC半导体层与SiO2层之间的界面缺陷、且具有高品质的SiO2层的半导体装置及其制造方法。
用于解决课题的方法
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