[发明专利]具有辅助层的自旋转移矩MRAM及其操作方法有效
| 申请号： | 201980006531.2 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN111542489B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | Q.乐;Z.李;Z.白;P.冯德海杰登;M.霍 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G01R33/09;G01R33/12;B82Y25/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种MRAM设备包括磁性隧道结，该磁性隧道结包含：具有固定磁化方向的参考层、自由层和位于参考层与自由层之间的非磁性隧道阻挡层；一个或多个辅助层；和第一非磁性间隔层，该第一非磁性间隔层位于该自由层与该一个或多个辅助层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 辅助 自旋 转移 mram 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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